Numéro de produit du fabricant:
FDP3651U
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP3651U-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
798 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12837068
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDP3651U Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5522 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
255W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP36
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1990-FDP3651U
488-FDP3651U
1990-FDP3651U-DG
488-FDP3651U-DG
488-FDP3651UINACTIVE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMC4D9P20X8
MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
5HP01SS-TL-E
MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP3
IRFS634B_FP001
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
