Numéro de produit du fabricant:
FDP2D9N12C
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP2D9N12C-DG
Description:
PTNG 120V N-FET TO220
Description détaillée:
N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12839564
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SOUMETTRE
FDP2D9N12C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 210A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 686µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8894 pF @ 60 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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