Numéro de produit du fabricant:
FDP2670
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP2670-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 19A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12837598
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SOUMETTRE
FDP2670 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1320 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
93W (Tc)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP26
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PHP20NQ20T,127
FABRICANT
NXP Semiconductors
QUANTITÉ DISPONIBLE
8796
NUMÉRO DE PIÈCE
PHP20NQ20T,127-DG
PRIX UNITAIRE
1.02
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