Numéro de produit du fabricant:
FDP10N60NZ
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP10N60NZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12838468
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SOUMETTRE
FDP10N60NZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UniFET-II™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1475 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
185W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
232
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.12
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QUANTITÉ DISPONIBLE
20
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PRIX UNITAIRE
0.54
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
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