Numéro de produit du fabricant:
FDP050AN06A0
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP050AN06A0-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
6627 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12838136
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SOUMETTRE
FDP050AN06A0 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
245W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP050
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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