Numéro de produit du fabricant:
FDP047AN08A0-F102
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP047AN08A0-F102-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 75 V 15A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12849722
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SOUMETTRE
FDP047AN08A0-F102 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
310W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP047
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
FDP047AN08A0_F102
FDP047AN08A0_F102-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP140N055T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP140N055T2-DG
PRIX UNITAIRE
3.47
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QUANTITÉ DISPONIBLE
20
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PRIX UNITAIRE
3.54
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
1.70
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
3.38
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