Numéro de produit du fabricant:
FDMS86263P-23507X
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS86263P-23507X-DG
Description:
FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Description détaillée:
P-Channel 150 V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
12973660
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDMS86263P-23507X Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Ta), 22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
53mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3905 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-FDMS86263P-23507XTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJD2NA70_L2_00001
700V N-CHANNEL MOSFET
2SJ254
2SJ254 - P-CHANNEL MOS SILICON F
SI3430DV-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
