Numéro de produit du fabricant:
FDMS86102LZ
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS86102LZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Description détaillée:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
66683 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12838889
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SOUMETTRE
FDMS86102LZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Ta), 22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1305 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
FDMS86102
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2156-FDMS86102LZ-OS
FDMS86102LZ-DG
FDMS86102LZCT
FDMS86102LZDKR
ONSONSFDMS86102LZ
FDMS86102LZTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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