Numéro de produit du fabricant:
FDMS6673BZ
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS6673BZ-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Description détaillée:
P-Channel 30 V 15.2A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
11440 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848750
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDMS6673BZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.2A (Ta), 28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5915 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 73W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
FDMS6673
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMS6673BZTR
FDMS6673BZDKR
2832-FDMS6673BZTR
FDMS6673BZCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
MTD6N15T4
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
NTB125N02RT4G
MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
BSS123L
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
