FDMS5672
Numéro de produit du fabricant:

FDMS5672

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDMS5672-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Description détaillée:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56

Inventaire:

5479 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839130
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDMS5672 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.6A (Ta), 22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2800 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-MLP (5x6), Power56
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
FDMS56

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMS5672CT
FDMS5672TR
FDMS5672DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FDMC86520L

MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP

onsemi

FDB14AN06LA0-F085

MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

onsemi

HUFA76429D3

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

onsemi

FCP104N60

MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3