Numéro de produit du fabricant:
FDMS3660AS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS3660AS-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Inventaire:
12839805
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SOUMETTRE
FDMS3660AS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A, 30A
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2230pF @ 15V
Puissance - Max
1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
Power56
Numéro de produit de base
FDMS3660
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMS3660ASDKR
FDMS3660ASCT
2832-FDMS3660ASTR
FDMS3660ASTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTMFD4C20NT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
3
NUMÉRO DE PIÈCE
NTMFD4C20NT1G-DG
PRIX UNITAIRE
1.94
TYPE DE SUBSTITUT
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