Numéro de produit du fabricant:
FDME820NZT
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDME820NZT-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Description détaillée:
N-Channel 20 V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Inventaire:
12499 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12930663
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDME820NZT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
865 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Emballage / Caisse
6-PowerUFDFN
Numéro de produit de base
FDME820
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
FDME820NZTTR
FDME820NZT-DG
FDME820NZTCT
FDME820NZTDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMS2D5N08C
MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
FQA9N90-F109
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
FCA16N60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
