Numéro de produit du fabricant:
FDMC4435BZ
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMC4435BZ-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Description détaillée:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventaire:
11065 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12851191
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDMC4435BZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2045 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-MLP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
FDMC4435
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FSCFDMC4435BZ
FDMC4435BZTR
FDMC4435BZDKR
FDMC4435BZCT
2156-FDMC4435BZ-OS
2832-FDMC4435BZTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDS6673BZ-F085
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
FDU8880
MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
FDZ191P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
