Numéro de produit du fabricant:
FDI045N10A-F102
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDI045N10A-F102-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaire:
475 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848972
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SOUMETTRE
FDI045N10A-F102 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5270 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
263W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
FDI045
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
FDI045N10A_F102
FDI045N10A_F102-DG
ONSFSCFDI045N10A-F102
2156-FDI045N10A-F102-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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