FDG316P
Numéro de produit du fabricant:

FDG316P

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDG316P-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC88
Description détaillée:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventaire:

12840130
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SOUMETTRE

FDG316P Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
165 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-88 (SC-70-6)
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
FDG316

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDG316PDKR
FDG316PCT
FDG316PTR
FDG316P-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NTJS4151PT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
10423
NUMÉRO DE PIÈCE
NTJS4151PT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
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