Numéro de produit du fabricant:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDFME3N311ZT-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Inventaire:
12850488
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SOUMETTRE
FDFME3N311ZT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
75 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-MicroFET (1.6x1.6)
Emballage / Caisse
6-UFDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
FDFME3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SSM6H19NU,LF
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
54777
NUMÉRO DE PIÈCE
SSM6H19NU,LF-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
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