FDFME2P823ZT
Numéro de produit du fabricant:

FDFME2P823ZT

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDFME2P823ZT-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)

Inventaire:

12850955
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SOUMETTRE

FDFME2P823ZT Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
405 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-MicroFET (1.6x1.6)
Emballage / Caisse
6-UFDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
FDFME2

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
FDFME2P823ZTDKR
FDFME2P823ZTCT
FDFME2P823ZT-DG
FDFME2P823ZTTR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMP2035UFCL-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
12527
NUMÉRO DE PIÈCE
DMP2035UFCL-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
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