Numéro de produit du fabricant:
FDFM2N111
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDFM2N111-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
Description détaillée:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Inventaire:
12847802
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SOUMETTRE
FDFM2N111 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
273 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MicroFET 3x3mm
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
FDFM2
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDFM2N111-DG
FDFM2N111CT
FDFM2N111TR
FDFM2N111DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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