Numéro de produit du fabricant:
FDD8586
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD8586-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12836790
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SOUMETTRE
FDD8586 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2480 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
77W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD858
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD8586CT
FDD8586DKR
FDD8586TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR3711ZTRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7103
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR3711ZTRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.42
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
0.34
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