Numéro de produit du fabricant:
FDD850N10LD
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD850N10LD-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
Description détaillée:
N-Channel 100 V 15.3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12840312
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SOUMETTRE
FDD850N10LD Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
75mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1465 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Numéro de produit de base
FDD850
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD850N10LDTR
FDD850N10LDDKR
FDD850N10LDCT
FDD850N10LD-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD850N10L
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
8609
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD850N10L-DG
PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
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