Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
FDD6N25TM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6N25TM-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12849765
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDD6N25TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
UniFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD6N25
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
FDD6N25TM Datasheet
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
2156-FDD6N25TM-OS
FDD6N25TMCT
FDD6N25TMTR
FDD6N25TMDKR
2832-FDD6N25TMTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
19780
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD7N25LZTM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
9394
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD7N25LZTM-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
16111
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
FCH47N60F-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
FQD2N60TM
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
AON7428
MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN
AOT296L
MOSFET N-CH 100V 9.5A/70A TO220