Numéro de produit du fabricant:
FDD6612A
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6612A-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12848246
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SOUMETTRE
FDD6612A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
660 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD6612
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD6612ADKR
FDD6612ACT
FDD6612ATR
FDD6612A-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMG4468LK3-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2455
NUMÉRO DE PIÈCE
DMG4468LK3-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
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8797
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PRIX UNITAIRE
0.13
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PRIX UNITAIRE
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