Numéro de produit du fabricant:
FDD5N50NZFTM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD5N50NZFTM-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 500 V 3.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12930543
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SOUMETTRE
FDD5N50NZFTM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UniFET-II™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.75Ohm @ 1.85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
485 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD5N50
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD5N50NZFTMCT
FDD5N50NZFTM-DG
2156-FDD5N50NZFTM-OS
FDD5N50NZFTMDKR
FDD5N50NZFTMTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR825TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
52779
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR825TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.84
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153
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PRIX UNITAIRE
0.18
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PRIX UNITAIRE
0.70
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
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1982
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PRIX UNITAIRE
0.44
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