FDC658P
Numéro de produit du fabricant:

FDC658P

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDC658P-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Description détaillée:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventaire:

2211 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12849028
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SOUMETTRE

FDC658P Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
750 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
FDC658

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDC658PDKR
FDC658PTR
FDC658P-DG
FDC658PCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS4111PT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
36278
NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS4111PT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
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QUANTITÉ DISPONIBLE
113490
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PRIX UNITAIRE
0.24
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Similar
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2830
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PRIX UNITAIRE
0.17
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PRIX UNITAIRE
0.23
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QUANTITÉ DISPONIBLE
785
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PRIX UNITAIRE
0.30
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