FDC637BNZ
Numéro de produit du fabricant:

FDC637BNZ

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDC637BNZ-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Description détaillée:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventaire:

216 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839477
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SOUMETTRE

FDC637BNZ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
895 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
FDC637

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDC637BNZDKR
FDC637BNZTR
FDC637BNZCT
2156-FDC637BNZTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2028UVT-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
1723
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2028UVT-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS3130NT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1870
NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS3130NT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RUQ050N02TR
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2985
NUMÉRO DE PIÈCE
RUQ050N02TR-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
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