Numéro de produit du fabricant:
FDC3535
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDC3535-DG
Description:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Description détaillée:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventaire:
12846224
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SOUMETTRE
FDC3535 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
880 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
FDC3535
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-FDC3535
FDC3535DKR
FDC3535TR
FDC3535CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3129DV-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3129DV-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.20
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
AOTF27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
FCH47N60-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
AOTF472
MOSFET N-CH 75V 10A/53A TO220FL
