Numéro de produit du fabricant:
FDB86360_SN00307
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDB86360_SN00307-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12847008
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SOUMETTRE
FDB86360_SN00307 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
253 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
333W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FDB863
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB86360-F085
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1454
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB86360-F085-DG
PRIX UNITAIRE
3.52
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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