FDB082N15A
Numéro de produit du fabricant:

FDB082N15A

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDB082N15A-DG

Description:

MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 150 V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

508 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12845906
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SOUMETTRE

FDB082N15A Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
117A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6040 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
294W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FDB082

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
FDB082N15A-DG
FDB082N15AFSCT
FDB082N15AFSDKR
FDB082N15AFSTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA140N12T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA140N12T2-DG
PRIX UNITAIRE
3.93
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
4910
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
2.99
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FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3546
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB108N15N3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.29
TYPE DE SUBSTITUT
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