FDA70N20
Numéro de produit du fabricant:

FDA70N20

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDA70N20-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 70A TO3PN
Description détaillée:
N-Channel 200 V 70A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventaire:

12850263
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SOUMETTRE

FDA70N20 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UniFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3970 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
417W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FDA70

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
2156-FDA70N20-OS
ONSONSFDA70N20

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH70N20Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH70N20Q3-DG
PRIX UNITAIRE
7.69
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E
FABRICANT
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
5608
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E-DG
PRIX UNITAIRE
3.29
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH60N20L2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
13
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH60N20L2-DG
PRIX UNITAIRE
12.74
TYPE DE SUBSTITUT
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