FCPF600N60ZL1-F154
Numéro de produit du fabricant:

FCPF600N60ZL1-F154

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FCPF600N60ZL1-F154-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7.4A (Tj) 28W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventaire:

12981469
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SOUMETTRE

FCPF600N60ZL1-F154 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.4A (Tj)
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1120 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
28W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FCPF600

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
488-FCPF600N60ZL1-F154
2832-FCPF600N60ZL1-F154

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SIDR578EP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

infineon-technologies

IAUC100N04S6L014ATMA1

IAUC100N04S6L014ATMA1

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IPB80P03P4L04ATMA2

MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

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BUK7E3R5-60E,127

TRANSISTOR >30MHZ