Numéro de produit du fabricant:
FCPF165N65S3R0L
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCPF165N65S3R0L-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
12848089
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SOUMETTRE
FCPF165N65S3R0L Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET® III
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1415 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FCPF165
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
FCPF165N65S3R0L-DG
FCPF165N65S3R0LOS
2156-FCPF165N65S3R0L-488
2832-FCPF165N65S3R0L
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPA60R120P7XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
188
NUMÉRO DE PIÈCE
IPA60R120P7XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.49
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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