Numéro de produit du fabricant:
FCP260N65S3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP260N65S3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12850973
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SOUMETTRE
FCP260N65S3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1010 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FCP260
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14E65W,S1X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
50
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14E65W,S1X-DG
PRIX UNITAIRE
1.25
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