Numéro de produit du fabricant:
FCP165N60E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP165N60E-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
1200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13209968
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SOUMETTRE
FCP165N60E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® II
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2434 pF @ 380 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FCP165
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-FCP165N60E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP24N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
189
NUMÉRO DE PIÈCE
STP24N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
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0
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
1.40
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PRIX UNITAIRE
1.35
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QUANTITÉ DISPONIBLE
473
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH165N60E-DG
PRIX UNITAIRE
2.86
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NVB5404NT4G
MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
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MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
NVMFS5830NLT1G
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