Numéro de produit du fabricant:
FCMT125N65S3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCMT125N65S3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Description détaillée:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Inventaire:
965 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12847376
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SOUMETTRE
FCMT125N65S3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 590µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1920 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
181W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-PQFN (8x8)
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Numéro de produit de base
FCMT125
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FCMT125N65S3OSTR
FCMT125N65S3OSDKR
2156-FCMT125N65S3TR
FCMT125N65S3OSCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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