Numéro de produit du fabricant:
FCMT099N65S3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCMT099N65S3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Description détaillée:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount Power88
Inventaire:
12849071
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SOUMETTRE
FCMT099N65S3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2270 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Power88
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Numéro de produit de base
FCMT099
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-FCMT099N65S3CT
488-FCMT099N65S3TR
FCMT099N65S3-DG
488-FCMT099N65S3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPL60R104C7AUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
8950
NUMÉRO DE PIÈCE
IPL60R104C7AUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.79
TYPE DE SUBSTITUT
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