Numéro de produit du fabricant:
FCHD125N65S3R0-F155
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCHD125N65S3R0-F155-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12839351
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SOUMETTRE
FCHD125N65S3R0-F155 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET® III
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 590µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1940 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
181W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCHD125
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
FCHD125N65S3R0-F155OS
2156-FCHD125N65S3R0-F155
FCHD125N65S3R0-F155-DG
2832-FCHD125N65S3R0-F155
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW45NM60
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STW45NM60-DG
PRIX UNITAIRE
7.85
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
2.48
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