Numéro de produit du fabricant:
FCH165N65S3R0-F155
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCH165N65S3R0-F155-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
444 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12847465
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SOUMETTRE
FCH165N65S3R0-F155 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
154W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCH165
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
2156-FCH165N65S3R0-F155
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW28N60DM2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STW28N60DM2-DG
PRIX UNITAIRE
1.76
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0
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PRIX UNITAIRE
1.72
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PRIX UNITAIRE
2.76
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8
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PRIX UNITAIRE
1.67
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
STW26NM60N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
204
NUMÉRO DE PIÈCE
STW26NM60N-DG
PRIX UNITAIRE
3.60
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
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