Numéro de produit du fabricant:
FCH099N60E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCH099N60E-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12846675
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SOUMETTRE
FCH099N60E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET® II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3465 pF @ 380 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCH099
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
2156-FCH099N60E-OS
ONSONSFCH099N60E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NB099PW C1G
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
2055
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NB099PW C1G-DG
PRIX UNITAIRE
4.18
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PRIX UNITAIRE
3.03
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2.31
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PRIX UNITAIRE
6.38
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PRIX UNITAIRE
6.79
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
