Numéro de produit du fabricant:
FCH040N65S3-F155
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCH040N65S3-F155-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 65A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
1185 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12922369
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SOUMETTRE
FCH040N65S3-F155 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 6.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4740 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
417W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCH040
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2156-FCH040N65S3-F155-OS
FCH040N65S3_F155
ONSONSFCH040N65S3-F155
FCH040N65S3_F155-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
APT60N60BCSG
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
137
NUMÉRO DE PIÈCE
APT60N60BCSG-DG
PRIX UNITAIRE
15.64
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH80N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH80N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
8.12
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0
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7.10
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PRIX UNITAIRE
8.76
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