Numéro de produit du fabricant:
FCB125N65S3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCB125N65S3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Description détaillée:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
800 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938392
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SOUMETTRE
FCB125N65S3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 590µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1940 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
181W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FCB125
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-FCB125N65S3CT
488-FCB125N65S3TR
488-FCB125N65S3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NVB125N65S3
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
800
NUMÉRO DE PIÈCE
NVB125N65S3-DG
PRIX UNITAIRE
1.73
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
2SK3900-ZP-E1-AZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RJL5012DPP-00#T2
N-CHANNEL POWER MOSFET
NTBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
