Numéro de produit du fabricant:
FCA16N60_F109
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCA16N60_F109-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
Description détaillée:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventaire:
12849731
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SOUMETTRE
FCA16N60_F109 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
260mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FCA16
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFQ28N60P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
273
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFQ28N60P3-DG
PRIX UNITAIRE
3.26
TYPE DE SUBSTITUT
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