Numéro de produit du fabricant:
DTD113E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DTD113E-DG
Description:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventaire:
25000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12934311
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SOUMETTRE
DTD113E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
1 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
1 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
350 mW
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92 (TO-226)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
11,539
Autres noms
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
