Numéro de produit du fabricant:
DTC115EM3T5G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DTC115EM3T5G-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 260 mW Surface Mount SOT-723
Inventaire:
4725 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12845258
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SOUMETTRE
DTC115EM3T5G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
100 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
100 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
260 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-723
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-723
Numéro de produit de base
DTC115
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
DTC115EM3T5GOSDKR
DTC115EM3T5GOSTR
2156-DTC115EM3T5G-OS
ONSONSDTC115EM3T5G
DTC115EM3T5G-DG
DTC115EM3T5GOSCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1130MFV,L3F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
7533
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1130MFV,L3F-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
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PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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