Numéro de produit du fabricant:
BS170_J35Z
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BS170_J35Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12850300
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BS170_J35Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
40 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
830mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
BS170
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMT80060DC
MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
FCPF22N60NT
MOSFET N-CH 600V 22A TO220F
AO4406AL
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
