Numéro de produit du fabricant:
BS107G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BS107G-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventaire:
12848208
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SOUMETTRE
BS107G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
60 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92 (TO-226)
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Numéro de produit de base
BS107
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
BS107GOS
BS107G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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