Numéro de produit du fabricant:
BFL4001-1E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BFL4001-1E-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
Description détaillée:
N-Channel 900 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Inventaire:
12916313
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SOUMETTRE
BFL4001-1E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
BFL40
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-BFL4001-1E
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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