Numéro de produit du fabricant:
5HN01M-TL-E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
5HN01M-TL-E-DG
Description:
MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Description détaillée:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount MCP
Inventaire:
12836197
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SOUMETTRE
5HN01M-TL-E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6.2 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MCP
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base
5HN01
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2156-5HN01M-TL-E
2156-5HN01M-TL-E-ONTR-DG
ONSONS5HN01M-TL-E
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7002WT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
51177
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7002WT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMC007N08LCDC
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
BSC015NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
BMS3003-1E
MOSFET P-CH 60V 78A TO220F-3SG
