Numéro de produit du fabricant:
2SK4210
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK4210-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Description détaillée:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Inventaire:
12836327
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SOUMETTRE
2SK4210 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PB
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
2SK4210
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
100
Autres noms
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK9J90E,S1E
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TK9J90E,S1E-DG
PRIX UNITAIRE
1.07
TYPE DE SUBSTITUT
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