Numéro de produit du fabricant:
2SK4177-DL-1E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK4177-DL-1E-DG
Description:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
Description détaillée:
N-Channel 1500 V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventaire:
12836429
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SOUMETTRE
2SK4177-DL-1E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
380 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
2SK4177
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
2SK4177-DL-1E-DG
2SK4177-DL-1EOSTR
ONSONS2SK4177-DL-1E
2156-2SK4177-DL-1E
2SK4177-DL-1EOSDKR
2SK4177-DL-1EOSCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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