Numéro de produit du fabricant:
2SK3816-DL-1E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK3816-DL-1E-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Description détaillée:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventaire:
12836472
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SOUMETTRE
2SK3816-DL-1E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1780 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.65W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
2SK3816
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
2156-2SK3816-DL-1E
ONSONS2SK3816-DL-1E
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFZ44SPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1685
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFZ44SPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.09
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